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Emerging Resistive Switching Memories

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Éditeur :

Springer

Collection : SpringerBriefs in Materials

Paru le : 2016-07-04

This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. The author explains the physics of the devices and provides a concrete description of the materials involved as well as the fundamental ...
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Description du livre

This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. The author explains the physics of the devices and provides a concrete description of the materials involved as well as the fundamental properties of the technology. He details how charge trapping, charge transfer and conductive filament formation effect resistive switching memory devices.

À propos

Auteur
Jianyong Ouyang
Éditeur
Springer
Collection
SpringerBriefs in Materials
Parution
2016-07-04
Pages
93 pages
EAN papier
9783319315706

Auteur(s) du livre


Defaut-Illustration Jianyong Ouyang

Caractéristiques détaillées - droits

EAN EPUB
9783319315720
Prix
52,74 €
Nombre pages copiables
0
Nombre pages imprimables
9
Taille du fichier
3072 Ko
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